[13a-N307-1~11] 17.3 層状物質

△ [13a-N307-11] MoS₂同一結晶面内ヘテロを利用した単一ゲート TFET の動作実証

〇福井 智博¹、谷口 尚²、渡邊 賢司²、西村 知紀¹、長汐 晃輔¹ (1.東大工、2.物質材料研)

キーワード：トンネルFET、MoS2

p⁺-MoS₂が層数の減少とともにn型となることを利用し，MoS₂同一結晶面内ヘテロを利用した単一ゲートTFETを作製し，室温でのtype-Ⅲバンドアライメントを確認した．