[13a-N307-1~11] 17.3 Layered materials

△ [13a-N307-11] Demonstration of single-gate MoS₂ TFET with natural in-plane heterojunction

〇Tomohiro Fukui¹, Takashi Taniguchi², Kenji Watanabe², Tomonori Nishimura¹, Kousuke Nagashio¹ (1.Univ. of Tokyo, 2.NIMS)

Keywords:Tunnel FET, MoS2

p⁺-MoS₂が層数の減少とともにn型となることを利用し，MoS₂同一結晶面内ヘテロを利用した単一ゲートTFETを作製し，室温でのtype-Ⅲバンドアライメントを確認した．