[13a-N307-1~11] 17.3 層状物質

[13a-N307-7] 二次元薄膜材料を用いたアンチ・アンバイポーラトランジスタの開発

〇新ヶ谷 義隆¹、岩﨑 拓哉¹、早川 竜馬¹、中払 周¹、若山 裕¹ (1.物材機構)

キーワード：アンチアンバイポーラトランジスタ、遷移金属ダイカルコゲナイド

二次元薄膜材料を組み合わせて室温で負性抵抗を示すアンチ・アンバイポーラトランジスタを作製した結果について報告する。これまでにP型半導体とN型半導体がチャネル中央部でPN接合を有する特殊な有機トランジスタ を提案し、室温で4桁に至るドレイン電流の増減に成功した。有機半導体で得られた知見を活かして、二次元薄膜材料である遷移金属ダイカルコゲナイドを用いたアンチ・アンバイポーラトランジスタ素子の開発を進めた。