The 82nd JSAP Autumn Meeting 2021

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[13a-S201-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Mon. Sep 13, 2021 9:00 AM - 11:30 AM S201 (Oral)

Takumi Ikenoue(Kyoto Univ.), Kohei SHIMA(Tohoku Univ.)

9:15 AM - 9:30 AM

[13a-S201-2] Improvement mechanism of gas sensing response of ZnO films by Mg alloying

Yutaka Adachi1, Taku Suzuki1 (1.NIMS)

Keywords:gas sensor, surface reaction, adsorbed oxygen

ZnOのガスセンサ特性はMg添加により向上することがこれまでにいくつか報告されているが、そのメカニズムは明らかではない。本研究では、配向性、面内方向結晶粒径、表面モフォロジー、膜厚がほぼ同じで、Mg添加濃度のみが異なるZnO薄膜を作製し、そのガス・センシング特性を測定することにより、Mg添加によるセンサ特性向上のメカニズムを明らかにすることを試みた。