[13a-S201-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[13a-S201-4] Random lasing from roughness structure on ZnO single crystal substrate

〇(M1)Ryota Suzuki¹, Toshihiro Nakamura¹ (1.Hosei Univ.)

Keywords:random laser, ZnO

ランダムレーザーは散乱体と光利得媒質のみで構成される簡易なレーザー源である．半導体ランダムレーザーでは，酸化亜鉛での報告例が多い．酸化亜鉛は，安価で，簡易に良質な結晶が成長可能であるため有望なレーザー材料である．近年，新たなランダムレーザーとして，窒化ガリウム単結晶基板表面上に形成したラフネス構造が提案されている．本講演では，酸化亜鉛単結晶基板上のラフネス構造からのレーザー発振について議論する．