2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

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[13a-S201-1~9] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2021年9月13日(月) 09:00 〜 11:30 S201 (口頭)

池之上 卓己(京大)、嶋 紘平(東北大学)

09:45 〜 10:00

[13a-S201-4] 酸化亜鉛単結晶基板上に形成したラフネス構造からのランダムレーザーの発振

〇(M1)鈴木 涼太1、中村 俊博1 (1.法政大院理工)

キーワード:ランダムレーザー、酸化亜鉛

ランダムレーザーは散乱体と光利得媒質のみで構成される簡易なレーザー源である.半導体ランダムレーザーでは,酸化亜鉛での報告例が多い.酸化亜鉛は,安価で,簡易に良質な結晶が成長可能であるため有望なレーザー材料である.近年,新たなランダムレーザーとして,窒化ガリウム単結晶基板表面上に形成したラフネス構造が提案されている.本講演では,酸化亜鉛単結晶基板上のラフネス構造からのレーザー発振について議論する.