[13a-S203-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13a-S203-1] ガスソース分子線エピタキシーによるSrVO₃極薄膜のモット転移

〇高橋 圭¹、十倉 好紀^1,2、川﨑 雅司^1,3 (1.理研 CEMS、2.東大東京カレッジ、3.東大院工)

キーワード：モット絶縁体、分子線エピタキシー、バナジウム酸化物

SrVO₃は二次元化により金属からモット絶縁体に転移することが知られている。今回、ガスソース分子線エピタキシーによりSrVO₃薄膜の高品質化に取り組み、厚膜では残留抵抗が10^-7Ohmcm台の非常に結晶性の高い金属になり、膜厚4ユニットセル以下では絶縁体になることを再現した。このモット絶縁体状態の極薄膜（2ユニットセル）のSrをLaで置換し電子ドープを試みたところ、約20%のLa置換によってほぼ金属化することが分かった。