[13a-S203-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13a-S203-2] SrNbO₃極薄膜の金属絶縁体転移

〇大熊 光¹、片山 裕美子¹、榊原 烈桜¹、濱本 杏果¹、門脇 福延¹、上野 和紀¹ (1.東大院総合)

キーワード：金属絶縁体転移、SrNbO3、スピン軌道相互作用

スピン軌道相互作用(SOC)アシストモット絶縁体Sr₂IrO₄の発見以降、SOCが強い物質でのモット転移(MT)の研究が、加速的に進んでいる。これまで、元素置換による5dモット絶縁体の金属化が数多く行われてきたが、元素置換の手法では、遷移元素間の電荷移動や乱れで、予期せぬ金属絶縁体転移(MIT)が起こる等、本来のSOCに起因するMTを調べる事が難しい。今回、上記の問題を解決すべく、膜厚制御の手法で、SOCによるMITを調べるために、次元性の低下によるMITが期待される4d遷移金属酸化物SrNbO₃(SNO)薄膜を合成し、実際に極薄膜でMITを観測したので報告する。