2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13a-S203-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2021年9月13日(月) 09:00 〜 11:30 S203 (口頭)

若林 勇希(NTT)、上田 浩平(阪大)

10:45 〜 11:00

[13a-S203-7] ナノ薄膜酸化チタンチャネルTFTのUV光応答メカニズム

廣瀬 文彦1 (1.山形大院理工)

キーワード:薄膜トランジスタ、酸化チタン、紫外光

薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor, TFT)において、チャネル層となる酸化物半導体が数十ナノメートル近くまで薄くなると、その出力特性はきわめて表面敏感となり、新機能センサーとなる可能性も期待される。我々は、アナタース酸化チタンのナノ薄膜をチャネル層としたTFTの試作研究を行う中で、大気中で287nmのLEDUV光をチャネル層に照射すると、強いドレイン電流の変調が起こることを見出した。様々なガス雰囲気で試験を行うことで、UV光の光吸収による電子的な機構に表面化学反応が連動したモデルで説明ができることが分かった。