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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13a-S203-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2021年9月13日(月) 09:00 〜 11:30 S203 (口頭)

若林勇希(NTT)、上田浩平(阪大)

11:00 〜 11:15

▲ [13a-S203-8] Extremely large strain in rutile-type RuO₂(100) epitaxial thin films

〇(DC)Zainab Fatima¹、Daichi Oka¹、Tomoteru Fukumura¹ (1.Tohoku Univ.)

キーワード：Strain engineering, ruthenium dioxide, Epitaxial thin film