[13a-S301-1~7] 6.2 カーボン系薄膜

△ [13a-S301-1] 二次元核形成を抑制した高濃度窒素ドープダイヤモンド成長技術の開発

〇中野 裕太¹、稲垣 秀¹、小林 和樹¹、張 旭芳¹、松本 翼¹、猪熊 孝夫¹、山崎 聡¹、Christoph E. Nebel^1,2、徳田 規夫¹ (1.金沢大、2.Diacara)

キーワード：ダイヤモンド、窒素、核形成

オフ角8°±1°を有するHPHT Ib (111)基板とHPHT Ib (111)メサ基板を用いて窒素ドープラテラル成長を行い、膜中窒素濃度([N])、成長レート、二次元核形成密度を調査した。成長レート増減には二次元核形成との関係があることを明らかにし、[N]=10²⁰ atoms/cm³以上の高濃度においても二次元核形成の少ない高品質な窒素ドープダイヤモンド成長に成功した。