[13a-S301-1~7] 6.2 カーボン系薄膜

△ [13a-S301-2] サファイア基板に大口径・高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンドが成長する機構

〇(M2)高谷 亮太¹、眞崎 瞭¹、金 聖祐²、ニロイ チャンドラ サハ¹、嘉数 誠¹ (1.佐賀大院工、2.アダマンド並木精密宝石)

キーワード：ヘテロエピタキシャルダイヤモンド、サファイア、歪み

ダイヤモンドはGaNやSiCと比べ、高い絶縁破壊電界やキャリア移動度をもち、高周波で高効率に電力を制御する次世代パワーデバイスとして期待されている。実用化には大口径のダイヤモンドウェハが必要となるため、これまで多くの系のダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長法が報告されてきたが、最近、我々はサファイア基板上に1インチ径の最高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの成長に成功した。ここではサファイア基板上に大口径、高品質のヘテロエピタキシャルダイヤモンドが成長する機構を、従来のMgO基板上と比較し、明らかにしたので報告する。