2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[13a-S301-1~7] 6.2 カーボン系薄膜

2021年9月13日(月) 09:30 〜 11:15 S301 (口頭)

大谷 亮太(旭ダイヤ)

10:30 〜 10:45

[13a-S301-5] 立方晶窒化硼素含有ダイヤモンド粒子の高温高圧合成と評価

大島 龍司1、崔 祥仁2、飯塚 完司1 (1.日工大、2.晶日金剛石複合材料有限公司)

キーワード:ダイヤモンド粒子、高温高圧、立方晶窒化硼素

固相反応核生成理論を踏襲し,高温高圧下においてダイヤモンド粒子合成時に立方晶窒化ホウ素(Cubic Boron Nitride; cBN)粒子を原料に固体成長核として添加し, cBN含有ダイヤモンド粒子を合成した。得られたcBN含有ダイヤモンド粒子の結晶内部のダイヤモンドとc-BNの成長関係を検討すると共にヘテロ界面の化学結合状態を検討した。