[13a-S301-1~7] 6.2 Carbon-based thin films

[13a-S301-7] Local Structures of P Atoms Implanted in Diamond Substrates Studied by X-ray Absorption Near Edge Structure Analysis

〇Yasushi Hoshino¹, Yuhei Seki¹, Kei Mitsuhara² (1.Kanagawa Univ., 2.Ritsumeikan Univ.)

Keywords:semiconductor, local structure analysis, impurity doping

イオン注入を用いた不純物ドーピングは、決められた領域に対して不純物原子の深さと濃度を正確に制御してドーピングできる不可欠な要素技術として認識され、SiやGaAs半導体等の製作プロセスの中で広く使用されている。本研究ではダイヤモンド基板に対し、様々な条件でPをイオン注入した試料に対するP吸収端近傍のX線吸収スペクトルからP原子の局所構造を調べた結果を報告する。