[13a-S301-1~7] 6.2 カーボン系薄膜

[13a-S301-7] Pイオン注入ダイヤモンド中におけるP原子局所構造のX線吸収端近傍微細構造分析

〇星野 靖¹、関 裕平¹、光原 圭² (1.神奈川大理、2.立命館大グローバル研)

キーワード：半導体、局所構造分析、不純物ドーピング

イオン注入を用いた不純物ドーピングは、決められた領域に対して不純物原子の深さと濃度を正確に制御してドーピングできる不可欠な要素技術として認識され、SiやGaAs半導体等の製作プロセスの中で広く使用されている。本研究ではダイヤモンド基板に対し、様々な条件でPをイオン注入した試料に対するP吸収端近傍のX線吸収スペクトルからP原子の局所構造を調べた結果を報告する。