[13p-N101-1~18] 15.4 III-V-group nitride crystals

[13p-N101-7] Growth evolution of polar-plane-free faceted 3D GaN structures

〇Yoshinobu Matsuda¹, Mitsuru Funato¹, Yoichi Kawakami¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:Nitride semiconductor, Three dimensional structure, Selective area growth

蛍光体フリーな多色発光素子として，我々は，半極性面GaN基板上に極性面フリーな3D InGaN QWを作製し，輻射再結合寿命の短い多色発光構造を提案している．3D QWの特徴として，下地3D GaN構造の形状制御による発光スペクトル制御が挙げられ，極性面フリーな構造においてもその制御性を確認している．しかし，その3D GaN構造の成長発展メカニズムは未解明であった．本研究では，極性面フリーな3D GaN構造の成長発展過程を考察したので報告する．