[13p-N103-1~12] 3.14 光制御デバイス・光ファイバー

[13p-N103-2] モード発展型InP/InGaAsP偏波回転器の実証

〇鈴木 優斗¹、田之村 亮太¹、Abdulaziz Elfiqi¹、Dawei Yu²、Warakorn Yanwachirakul¹、Haifeng Shao²、種村 拓夫¹、中野 義昭¹ (1.東大院・工、2.Hisilicon OptoElectronics Co., Ltd.,)

キーワード：偏波

通信容量の増大に伴い偏波制御素子をモノリシック集積した光送受信器が求められており、InP系光集積回路にモノリシック集積できるロバストな偏波制御素子が必要とされている。今回、ハーフリッジ構造によるモード発展型InP集積偏波回転器を初めて作製・実証したため報告する。作製した素子はCバンド全域で75nmの導波路幅の誤差に対して変換効率88%以上というロバストな動作を達成した。