[13p-N106-1~6] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

[13p-N106-6] Vibration Mode Analysis of Low Energy Phonon in SiO₂/Si/SiO₂ Film by Molecular Dynamics

〇Motohiro Tomita^1,2, Ryo Yokogawa^2,3, Atsushi Ogura^2,3, Takanobu Watanabe¹ (1.Waseda Univ., 2.MREL, 3.Meiji Univ.)

Keywords:semiconductor, Phonon, Molecular Dynamics

我々は、分子動力学(MD)計算によって、SiはSiO₂酸化膜で覆われるとSiO₂/Si界面の歪によって低エネルギーの振動状態が発生し、これが原因で熱伝導率が低下すること報告していたが、SiO₂/Si界面の低エネルギーフォノンがどのように振動しているのか明らかにできていなかった。本研究では分子動力学(MD)計算とフーリエ解析によって上記振動モードの平均二乗変位を求め、その振動状態を解析した。