[13p-N106-1~6] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[13p-N106-6] 分子動力学法を用いたSiO₂/Si/SiO₂薄膜内の低エネルギーフォノンの振動モード解析

〇富田 基裕^1,2、横川 凌^2,3、小椋 厚志^2,3、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.明大MREL、3.明大理工)

キーワード：半導体、フォノン、分子動力学

我々は、分子動力学(MD)計算によって、SiはSiO₂酸化膜で覆われるとSiO₂/Si界面の歪によって低エネルギーの振動状態が発生し、これが原因で熱伝導率が低下すること報告していたが、SiO₂/Si界面の低エネルギーフォノンがどのように振動しているのか明らかにできていなかった。本研究では分子動力学(MD)計算とフーリエ解析によって上記振動モードの平均二乗変位を求め、その振動状態を解析した。