[13p-N203-1~10] 6.4 薄膜新材料

[13p-N203-1] 高分解能Ｘ線吸収分光法による抵抗スイッチング材料Pt/AlFeO₃/Nb:SrTiO₃ヘテロ膜の電子状態測定

〇遠藤 優理¹、加藤 盛也¹、中島 伸夫¹、Badari Narayana Rao²、安井 伸太郎³、大沢 仁志⁴、河村 直己⁴ (1.広島大院先進理工、2.千葉大先進科学、3.東工大ZC研、4.JASRI)

キーワード：抵抗スイッチング、高エネルギー分解能XAS

Pt/AlFeO₃/Nb:SrTiO₃ヘテロ膜は単純な構造であるため、高集積度メモリの実現が期待されている。我々は、AlFeO₃層に酸素欠損が生じFeが還元されることが抵抗変化の要因になっていると考えている。そこで、価数変化が予測されるFe K吸収端の高分解Ｘ線吸収分光測定を行った。酸素欠損が抵抗変化の要因とした場合に期待されるプリエッジ構造の変化などは観測されなかったことから、酸素欠損が両電極を短絡するフィラメントモデルは適切ではないと結論した。