2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[13p-N203-1~10] 6.4 薄膜新材料

2021年9月13日(月) 13:30 〜 16:00 N203 (口頭)

土屋 哲男(産総研)、西川 博昭(近畿大)

14:15 〜 14:30

[13p-N203-4] 傾斜組成MgドープZnO薄膜の光触媒特性

〇(M2)佐藤 湧太1、丸山 伸伍1、神永 健一1、松本 祐司1 (1.東北大院工)

キーワード:光触媒、薄膜

ZnOは紫外線照射下で、水分解に活性を示す半導体ZnO薄膜中であり、Mgドープによるキャリア変調が可能である。薄膜中でドーパント濃度を連続的に変化させた傾斜組成薄膜では、光触媒活性の向上が報告されているが、詳細な相関は未解明である。本研究では、MgドープZnO傾斜組成薄膜を作製し、その光触媒特性を調査し報告する。