[13p-N203-1~10] 6.4 薄膜新材料

△ [13p-N203-5] コンビナトリアル手法を用いたトンネルFET用n型酸化物半導体チャネル材料の検討

〇大門 祐貴^1,2、知京 豊裕²、小椋 厚志^1,3、長田 貴弘^2,3 (1.明大理工、2.物質・材料研究機構、3.明大MREL)

キーワード：トンネルFET、コンビナトリアル手法

デバイス全体の低消費電力化の実現に向けて、n型酸化物半導体(n-OS)のZnOとp型IV族半導体(p-IV)のSi及びGeを組み合わせたbilayer構造TFETが提案されていたが、ZnOは粒成長の不均一性によって、膜全体でのトンネル距離を一定にするのが困難である。本研究では、n-OS層に非晶質のTi_xZn_1-xO_1+x及びGa_2xZn_1-xO_1+2x膜を用いて、組成と平坦性、電気特性、電子状態の相関について検討を行い、その結果を報告する。