[13p-N203-1~10] 6.4 Thin films and New materials

△ [13p-N203-5] Combinatorial synthesis for n-type oxide semiconductor based channel materials for tunnel FETs

〇Yuki Daimon^1,2, Toyohiro Chikyow², Astushi Ogura^1,3, Takahiro Nagata^2,3 (1.Meiji Univ., 2.NIMS, 3.MREL)

Keywords:tunnel FET, Combinatorial synthesis

デバイス全体の低消費電力化の実現に向けて、n型酸化物半導体(n-OS)のZnOとp型IV族半導体(p-IV)のSi及びGeを組み合わせたbilayer構造TFETが提案されていたが、ZnOは粒成長の不均一性によって、膜全体でのトンネル距離を一定にするのが困難である。本研究では、n-OS層に非晶質のTi_xZn_1-xO_1+x及びGa_2xZn_1-xO_1+2x膜を用いて、組成と平坦性、電気特性、電子状態の相関について検討を行い、その結果を報告する。