[13p-N205-1~13] 12.4 有機EL・トランジスタ

△ [13p-N205-1] 電子線ホログラフィーによる2層型有機EL素子内部の電位分布計測

〇佐々木 祐聖¹、山本 和生^1,2、穴田 智史²、平山 司²、吉本 則之¹ (1.岩大院理工、2.JFCC)

キーワード：有機EL、電子線ホログラフィー

本研究は、透過電子顕微鏡を用いた電位分布観察法である電子線ホログラフィーを用い、有機ELデバイス内部に形成された電位分布を計測した。取得した二次元電位分布像から、(i) α-NPD層、(ii) α-NPD/Alq₃界面、(iii) Alq₃層で、それぞれ異なる電場が形成されていることが分かった。特に、α-NPD/Alq₃界面で10 MV/mオーダーの電場を計測した。これらの電場が形成された要因について考察し、有機ELにおけるナノスケールでの電気的特性を明らかにすることに成功した。