[13p-N302-1~12] 12.1 作製・構造制御

△ [13p-N302-10] フェロセン含有交互積層膜を用いた抵抗変化スイッチング挙動の制御

〇(PC)石崎 裕也¹、渡邉 暁斗¹、山本 俊介¹、三ツ石 方也¹ (1.東北大院工)

キーワード：高分子電解質、相互拡散、プロトン移動

本研究では、フェロセン(Fc)含有高分子電解質交互積層膜(LbL)を用いた抵抗変化素子の作製およびそのスイッチング挙動の制御を試みた。抵抗変化層としてFc含有ポリエチレンイミン/ポリスチレンスルホン酸LbL膜を用い、下部および上部電極としてITO基板およびPEDOT:PSSスピンコート膜をそれぞれ用いた。その結果、Fc導入率および相対湿度を変化させることで、プロトン移動およびFcの酸化還元に基づく抵抗変化モードの制御に成功した。