[13p-N323-1~14] CS.11 Code-sharing Session of 8.3 & 9.2 & 13.6 & 15.3

△ [13p-N323-10] Optimizing the Luminescence Efficiency of White Fluorescent AlGaOx Nanowires Obtained by Wet Oxidation

〇Takeru Tanigawa¹, Rikuo Tsutsumi¹, Fumitaro Ishikawa¹ (1.Ehime Univ.)

Keywords:nanowire, compound semiconductors

化合物半導体ナノワイヤは，次世代の光・電子デバイスへの基礎材料として期待されている. 化合物半導体デバイス作製時に利用される水蒸気酸化プロセスは, 構成層間の大きな屈折率差や酸化物の絶縁性による光,電流狭窄を可能にする. 本研究ではこれまで，同水蒸気酸化により詳細に構造制御された化合物半導体ナノワイヤの酸化物への変換が可能であること，また作製した同ナノワイヤからは酸化物ナノ粒子に起因すると思われる白色領域発光が観測された結果について報告している.今回は, GaAs/AlGaOxナノワイヤ合成における酸化条件について詳細に検討し, 良好な白色発光が得られる酸化条件を検討した.