[13p-N323-1~14] CS.11 8.3 プラズマナノテクノロジー、9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス、15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎のコードシェアセッション

[13p-N323-12] 分子線エピタキシー法によるSi(111)基板上GaAsナノワイヤ成長における核形成段階の検討

〇(M1)村上 諒¹、行宗 詳規¹、石川 史太郎¹ (1.愛媛大工)

キーワード：ナノワイヤ、分子線エピタキシー、Si基盤

本研究では，Si(111)基板上に構成元素であるGaを自己触媒した分子線エピタキシー法により成長させたGaAsナノワイヤの初期核生成と成長の特徴を調べた。核生成時の初期成長段階とそれに続くナノワイヤの成長段階の成長ステップを細かく変化させ、反射型高エネルギー電子線回折、X線回折、断面透過型電子顕微鏡でその特徴を調べた。X線回折パターンでは、核生成初期のSi(111)ピーク付近で、Si(111)基板の高角度側にピークが見られた。その後、成長初期にGaとAsを供給して成長を進めると、GaAs(111)のピークが現れた。この結果は、GaAsナノワイヤのひずみ状態の発生を理解するのに役立つ。