[13p-N323-1~14] CS.11 8.3 プラズマナノテクノロジー、9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス、15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎のコードシェアセッション

[13p-N323-5] Si量子ドット多重集積構造へのP添加による内部ポテンシャル変調と電子放出特性評価

〇(M1)尾林 秀治¹、牧原 克典¹、竹本 竜也¹、田岡 紀之¹、大田 晃生¹、宮﨑 誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：半導体、量子ドット