[13p-S201-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[13p-S201-1] Temperature dependence of resistivity in m-face α-Ga₂O₃ grown by mist CVD

〇Syuhei Yamashita¹, Junjiro Kikawa¹, Shingo Yagyu², Takashi Shinohe², Tsutomu Araki¹ (1.Ritsumeikan Univ., 2.FLOSFIA Inc.)

Keywords:semiconductor, Ga2O3, electrical measurement

α酸化ガリウムは、パワーデバイスへの応用が期待されている新しい半導体材料である。今回我々は、Snドープm面α酸化ガリウムにおいて、0°方向と90°方向のそれぞれで電流電圧特性の温度依存性を測定した。すると、0°方向だけで2バンドモデルの影響が見られ、活性化エネルギーも0°方向のほうが小さくなった。この結果から、ドーパントであるSnが特定の方向に沿って偏析しているということが示唆された。