[13p-S201-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13p-S201-3] β型酸化ガリウム中への p 型ドーパント探索： Ba

〇(M1)三木 隼之介¹、宮本 将伸¹、嶋津 亮¹、前川 雅樹²、飯村 隆介³、唐 佳藝¹、河裾 厚男²、山腰 茂伸³、倉又 郎人³、佐々木 公平³、三木 一司¹ (1.兵庫県立大工、2.量研機構高崎、3.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：ワイドギャップ半導体、酸化ガリウム、p型ドーパント

省エネ問題を解決するために、パワーデバイスの性能向上が求められている。その新材料として注目されているβ-Ga₂O₃はp 型ドーパントが未発見であるため、高耐圧なデバイスの開発が困難な状況にある。そこで我々は、イオン注入法を用いてp型不純物探索を行っている。本研究では、β-Ga₂O₃のｐ型ドーパントの有力な候補として Zn、Ba、Srに注目した。このうちBaについてのp型探索の現状報告を行う。