[13p-S201-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13p-S201-9] MBE法によるm面サファイア基板上α-(Al_x­Ga_1-x)₂O₃のコヒーレント成長

〇神野 莉衣奈¹、奥村 宏典¹ (1.筑波大数理)

キーワード：超ワイドバンドギャップ半導体、酸化ガリウム、エピタキシャル成長

α‑(Al_xGa_1-x)₂O₃は、~5.3-8.8 eVのバンドギャップ変調可能な混晶系であり、超ワイドバンドギャップを持つヘテロ構造デバイスへの応用が期待される。 臨界膜厚はヘテロ構造デバイスの設計において重要であり、本研究では、m面α‑Al₂O₃基板上α‑(Al_xGa_1-x)₂O₃のコヒーレント成長および臨界膜厚について報告する。