[13p-S203-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13p-S203-13] NiCo₂O₄電極を用いた磁気トンネル接合における負のトンネル磁気抵抗効果

〇原 吉典¹、辻榮 朝香¹、島田 敏宏²、長浜 太郎² (1.北大院総化、2.北大院工)

キーワード：磁気トンネル接合、トンネル磁気抵抗効果、磁性酸化物

NiCo₂O₄は、金属的な電気伝導性、フェリ磁性、基板との組み合わせにより垂直磁気異方性を示すことが知られており、スピントロニクス材料への応用が期待されている。また理論的には、スピン分極率が－100 %であることが示されおり、磁気トンネル接合の電極に用いることで、大きなTMR比が得られることが予測される。本研究では、NiCo₂O₄を用いた磁気トンネル接合のTMR効果を調べ、NiCo₂O₄のスピン分極率を評価した。