[13p-S203-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13p-S203-14] 第一原理計算によるSrIrO₃薄膜における非線形スピンホール効果発現機構の解明

〇小塚 裕介¹、増田 啓介¹、三浦 良雄¹、藤岡 淳²、磯上 慎二¹、ダス サイカット¹、大久保 忠勝¹、葛西 伸哉^1,3 (1.物材機構、2.筑波大、3.JSTさきがけ)

キーワード：スピンホール効果、スピン軌道相互作用、第一原理計算

反転対称性のあるペロブスカイト型酸化物SrIrO₃薄膜において室温で大きな非線形スピンホール効果が観測されたが、その機構は明らかとなっていなかった。本研究では、第一原理計算を用いてSrIrO₃薄膜における非線形スピンホール効果の機構解明を行った。表面での反転対称性の破れによって、特徴的なスピンテクスチャがフェルミ面上に現れ、非線形スピンホール効果を引き起こしていることが推察された。