[13p-S203-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13p-S203-4] 固体素子によるVO₂転移速度の巨大ゲート変調

〇矢嶋 赳彬¹、若藤 祐斉²、鳥海 明² (1.九大シス情、2.東大マテ)

キーワード：電界効果、相転移、過渡特性

固体ゲートのVO₂チャネルトランジスタを利用して、ゲート電圧による相転移の過渡特性を系統的に調べた。その結果、静特性では小さかったゲート変調効果が過渡特性では大きく顕在化する事、そしてその原因が、最低でも4400個のV原子の集団がゲート変調効果を増幅するためであることを明らかにした。