[13p-S203-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13p-S203-9] SnO薄膜トランジスタのデバイス特性を支配するギャップ内準位の解明

〇簑原 誠人¹、浅沼 周太郎¹、浅井 栄大¹、土橋 優香²、三溝 朱音²、手塚 泰久³、小澤 健一^4,5、間瀬 一彦^5,6、菊地 直人¹、相浦 義弘¹ (1.産総研、2.東京理科大、3.弘前大、4.東工大、5.高エネ研、6.総研大)

キーワード：p型酸化物半導体、薄膜トランジスタ、光電子分光