[21a-P01-1~7] 1.1 応用物理一般・学際領域

[21a-P01-1] ポリイミド膜上への VO₂薄膜成長と電気的特性評価

〇(M1)宮武 佑多¹、沖村 邦雄¹、中西 俊博² (1.東海大院工、2.京大院工)

キーワード：VO₂、ポリイミド

二酸化バナジウム(VO2)は 68℃程度で電気抵抗が 4 桁以上変化する絶縁体-金属転移 (Insulator-Metal Transition: IMT)を示す相転移材料である. VO2 は温度変化以外に応力によって高温相 c 軸に沿う V-V ペアの長さが変化す るとき IMT を発現して抵抗値変化することが知られており，高感度応力センサー等への応用が期待されている． VO₂を柔軟な基板やシートに堆積させることができれば，様々な応力印加に対する応答を調べることができ応用 性が広がると期待される．本研究ではフレキシブル基板として熱硬化タイプのポリ系の中で耐熱性及び曲げ弾性 率が高いポリイミドを用い，VO2 結晶薄膜を堆積して電気特性について調べることを目的とした．