[21p-P07-1~5] 3.9 Terahertz technologies

[21p-P07-1] MBE growth of InGaSb/AlInGaSb QCL structures on GaSb substrates

〇Hiroaki Yasuda¹, Norihiko Sekine¹, Iwao Hosako¹ (1.NICT)

Keywords:QCL, InGaSb

InGaSb系THz-QCL作製のため、GaSb基板上にバッファ層を介してInGaSb/AlInGaSb QCL構造を分子線エピタキシー装置で成長したので、報告する。