[21p-P07-1~5] 3.9 テラヘルツ全般

[21p-P07-1] GaSb基板上のInGaSb/AlInGaSb系QCL構造のMBE成長

〇安田 浩朗¹、関根 徳彦¹、寳迫 巌¹ (1.情報通信研究機構)

キーワード：量子カスケードレーザ、InGaSb

InGaSb系THz-QCL作製のため、GaSb基板上にバッファ層を介してInGaSb/AlInGaSb QCL構造を分子線エピタキシー装置で成長したので、報告する。