[22a-P03-1~16] 6.3 Oxide electronics

[22a-P03-14] Epitaxial Growth of α-V₂O₃ thin films by mist-CVD method

〇Kazuaki Akaiwa¹, Tomoki Abe¹, Kunio Ichino¹ (1.Tottori Univ.)

Keywords:oxide semiconductor, Vanadium Oxide, metal/semiconductor superlattice

新たなデバイス機能の開拓が期待される金属-半導体超格子構造の創製を目指し、コランダム構造酸化物の酸化バナジウムと酸化ガリウムの積層構造作製を念頭に、ミストCVD法による酸化バナジウム薄膜のsapphire基板上への結晶成長を試みた。 c面sapphire基板上にc軸配向した酸化バナジウム薄膜が得られ、また極点測定によりsapphire基板との面内配向の一致を確認でき、酸化バナジウム薄膜がsapphire基板上にエピタキシャル成長している事が確認できた。