[22a-P04-1~18] 6.4 薄膜新材料

[22a-P04-1] SrTiO₃基板上NiO系薄膜のPLD合成と大気圧酸素アニール効果

〇(M1)後藤 祐己¹、久富 翔平¹、大賀 友瑛¹、金子 健太¹、金子 智^2,1、吉本 護¹、松田 晃史¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)

キーワード：酸化ニッケル、パルスレーザー堆積、酸素アニール

酸化ニッケル(NiO)は、岩塩型構造をとり反強磁性を示す、p型ワイドギャップ半導体として知られている。NiO系薄膜は、ホール輸送層や交換バイアス層への応用、およびNiO系層状ペロブスカイト構造を基本とした複酸化物薄膜による超伝導についての研究報告もある。本研究では、岩塩型・層状などNiO系薄膜の構造と物性の制御を目的として、ペロブスカイト基板上におけるNiO薄膜のPLD合成とアニーリングによる構造・価数変化について検討した。