[22a-P04-1~18] 6.4 薄膜新材料

[22a-P04-10] 室温ALDによるシリカ-アルミノシリケート多層膜の試作とイオン吸着性評価

〇齋藤 尊¹、齋藤 健太郎^1,2、三浦 正範³、鹿又 健作³、廣瀬 文彦¹ (1.山形大院理工、2.学振特別研究員、3.山形大ROEL)

キーワード：原子層堆積、アルミノシリケート、イオン吸着

近年アルミノシリケート薄膜は、イオン吸着など様々な分野で応用されている。アルミノシリケートは、3価であるAl原子が４つのO原子に囲まれることで表面が負に帯電し、陽イオンを吸着する。しかし膜内にAl-O-Al結合が生じるとAlO₄四面体が形成できない問題がある(Loewenstein則)。そこで本研究では、室温原子層堆積法を用いてアルミノシリケートとシリカの多層膜構造を作製し、Al-O-Al結合を抑制することで吸着性能の向上を狙った。