[22a-P04-1~18] 6.4 薄膜新材料

[22a-P04-18] 放電を用いたGe₂Sb₂Te₅薄膜の相変化現象

〇(B)森田 爽¹、坂井 穣²、桑原 正史³、片野 諭¹ (1.東北大通研、2.豊島製作所、3.産総研)

キーワード：GST、カルコゲン化合物、相変移現象

本研究では相変化型不揮発性メモリーへの応用が期待されるGe₂Sb₂Te₅（GST）薄膜の相変化を放電処理によって簡便に実現できないか検証した。Si基板上に成膜したアモルファスGST薄膜に放電処理を行ったところ、結晶GSTに帰属される大きさ5−10 μmの島状構造が多数観察された。つまり、放電によるGSTの局所的な加熱によってアモルファスから結晶への相変化が誘起されたと考えられる。本講演では、光照射によるGST相変化の結果と合わせて議論する。