[22a-P04-1~18] 6.4 薄膜新材料

[22a-P04-7] エキシマレーザーアニーリングを用いたポリマー基板上におけるGa₂O₃薄膜の固相結晶化

〇(M1)甲斐 稜也¹、渡邉 一樹¹、大賀 友瑛¹、金子 智^2,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)

キーワード：酸化ガリウム、ポリマー基板、エキシマレーザーアニーリング

ポリマー基板上に結晶性のGa₂O₃薄膜を作製することで、ワイドギャップ半導体を用いたフレキシブルデバイスを成形することができ、応用発展が期待される。我々のグループが見出したELAプロセスは従来の高温成膜や電気炉によるアニーリングと比べて、ポリマー基板への熱影響を抑制した結晶化が期待できる。本研究ではELA プロセスを用いたポリマー基板上Ga₂O₃薄膜の固相結晶化を検討した。