[22a-P05-1~5] 6.5 Surface Physics, Vacuum

[22a-P05-1] Dependence of Surface Shrink with SiO₂ Reduction Reaction on Electron-Irradiation Condition

〇Kyota Akimoto¹, Keisuke Fujimori¹, Yoshiharu Enta¹ (1.Hirosaki Univ.)

Keywords:silicon oxide, electron irradiation effect, reduction reaction

シリコン酸化膜(SiO₂)に高電流密度電子線を照射すると、照射された領域で還元反応が生ずることが知られている。前回我々は20nm厚SiO₂膜の電子線照射による還元反応に伴い、照射領域が収縮陥没することを報告した。今回は、20nm厚以上のSiO₂膜における電子線照射領域の表面変形について調べたので、その結果を報告する。