[22a-P05-1~5] 6.5 表面物理・真空

[22a-P05-1] シリコン酸化膜の電子線照射による還元に伴う表面変形の照射条件依存性

〇秋元 恭汰¹、藤森 敬典¹、遠田 義晴¹ (1.弘前大院理工)

キーワード：シリコン酸化膜、電子線照射効果、還元反応

シリコン酸化膜(SiO₂)に高電流密度電子線を照射すると、照射された領域で還元反応が生ずることが知られている。前回我々は20nm厚SiO₂膜の電子線照射による還元反応に伴い、照射領域が収縮陥没することを報告した。今回は、20nm厚以上のSiO₂膜における電子線照射領域の表面変形について調べたので、その結果を報告する。