[22p-P02-1~10] 10 スピントロニクス・マグネティクス(ポスター)

[22p-P02-10] MgO上のCo_1-xFe_x多層膜におけるダンピング定数の原子配列依存

〇(M1)服部 壮汰¹、名和 憲嗣¹、中村 浩次¹ (1.三重大院工)

キーワード：磁気メモリ

MRAMの高性能化に向け、高い垂直磁気異方性と低い磁気ダンピング定数を有する材料設計が求められている。本研究では、MgO(001)上に積層した1~9原子層のCo_1-xFe_x多層膜において組成比xを変化させながら原子配列に対する磁気ダンピング定数を第一原理計算の結果を用いて解析を行った。その結果、磁気ダンピング定数はCoとFeの原子層配列に依存して大きく変化し、同組成であっても1桁程度のオーダーで変化することを確認した。