[22p-P06-1~15] 12.4 有機EL・トランジスタ

[22p-P06-13] 極薄ゴム基板上への有機トランジスタの作製

〇(B)奥田 知華¹、王 燕¹、汪 浩洋¹、李 成薫¹、横田 知之¹、染谷 隆夫¹ (1.東大工)

キーワード：有機薄膜トランジスタ、有機半導体

本研究では、厚さ 2 µm の極薄のゴム基板上に有機薄膜トランジスタを作製・評価を行った。作製した有機トランジスタは駆動電圧 20V で動作し、キャリア移動度 0.095 cm²/Vs、閾値電圧 -2.1V、電流オンオフ比 4 桁以上を実現した。
有機トランジスタを作製する際に、支持基板を用いることでハンドリング性を向上させている。また、支持基盤からデバイスを剥離後も、トランジスタとして正常に動作することを確認した。