[23a-P03-1~4] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[23a-P03-3] p型Geの異常ピエゾ抵抗係数

〇松田 和典¹、長岡 史郎²、山本 雅史²、筒井 一生³、梶山 博司¹ (1.徳文大理工、2.香川高専、3.東工大)

キーワード：ゲルマ二ウム、ピエゾ抵抗効果、不純物

ベル研究所のSmithが60年ほど前に調べたp型Geのピエゾ抵抗係数は負の値になっており，他のp型半導体と符号が異なる．理論的にも説明ができない問題である．本研究では，p型Geのピエゾ抵抗係数を詳しく調べることを目的としている．今回の報告では，p型Geの実験結果を示すとともに．ドナー不純物の影響について述べる．