09:00 〜 10:40
[23a-P04-2] トポロジカル絶縁体Bi2Se3エピタキシャル膜における偏光ラマンスペクトルの膜厚依存性
キーワード:Bi2Se3、トポロジカル絶縁体
本研究では基板温度120 ºCの低温1段階成長法を用いて膜厚の異なるBi2Se3エピタキシャル膜を成長し,偏光ラマンスペクトルを測定した.その結果,偏光解消度評価によりディラック点にギャップが開く2次元限界膜厚が評価できることを見いだしたので報告する.
一般セッション(ポスター講演)
13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性
2021年9月23日(木) 09:00 〜 10:40 P04 (ポスター)
09:00 〜 10:40
キーワード:Bi2Se3、トポロジカル絶縁体