[23a-P08-1~3] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[23a-P08-2] TEM Analysis of the Junction Interface of Germanium Hetero-junction Solar Cells

〇Naoki Suyama¹, Tsukasa Takamura¹, Kimihiko Saito², Ryousuke Ishikawa¹, Makoto Konagai¹ (1.Tokyo City Univ., 2.Fukushima Univ.)

Keywords:Ge solar cells, hetero-junction, TEM

Rib構造を有するSi系トリプル接合太陽電池のボトムセルとしてGe太陽電池の特性向上を進めている。Ge基板界面にパッシベーションi-a-Si:H膜を形成することにより開放電圧が向上した。今回はパッシベーション膜形成による接合界面構造変化を透過電子顕微鏡（TEM）により評価し、ヘテロエピタキシャル成長の抑制による欠陥低減と界面再結合との相関を考察する。